李琪刚, 陈仁德, 李昊, 王振玉, 郭鹏, 崔丽, 王梁, 汪爱英
高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)技术在其放电过程中,由于阴极高负电压对离子的吸引,发生离子回吸现象,严重限制薄膜快速生长。为改善离子回吸问题,采用同步脉冲偏压方式,研究其对HiPIMS石墨靶沉积类金刚石(DLC)薄膜结构与性能的影响。通过调控同步脉冲偏压的幅值与滞后时间,采用脉冲偏压同步HiPIMS的技术制备DLC薄膜。采用示波器对HiPIMS电源放电波形进行实时监控,同时利用Langmuir探针系统研究沉积过程中的等离子体特征。通过SEM、SPM、XPS和Raman等测试薄膜的表面形貌和微观结构,并利用纳米压痕仪、残余应力仪以及划痕仪,对比研究制备的DLC薄膜力学性能、应力和膜基结合力。结果发现:当同步脉冲偏压由-100 V增加至-900 V时,DLC薄膜的沉积速率和表面粗糙度均先增后减,在-500 V时沉积速率最大为352 nm / h,表面粗糙度最低达 0.61±0.04 nm;sp3含量从47%降低至34.8%,导致硬度从48.6 GPa下降至35.1 GPa,残余压应力相应由-3.39 GPa下降至-1.9 GPa。增加同步脉冲偏压滞后时间从0到40 μs,DLC薄膜沉积速率单调增加,表面粗糙度变化不大,sp3含量从38.3%略微增加至40.2%,但残余压应力和硬度增幅显著,分别由-1.92 GPa增加至-3.05 GPa和从37.7 GPa上升至45.4 GPa。增加同步脉冲偏压幅值能够提高沉积离子密度,减少靶表面的回吸和打弧,有利于表面光滑和高沉积速率,但偏压幅值过大会引起基体区的反溅射,降低薄膜表面质量和沉积速率,但因sp3含量随偏压增加而减小,残余应力和硬度也随之下降。延长同步脉冲偏压的滞后时间,可获得高离子密度,同时提高薄膜沉积速率与sp3含量,残余应力和硬度均相应上升。利用HiPIMS复合同步脉冲偏压大小和滞后时间调控,是实现高性能碳基薄膜设计制备的新思路。