技术基础
张凡曦, 谢宇鹏, 王雅茹,胡耀程, 司怡昕, 陈晨, 王盛
为了研究基体预处理对加速器中子源靶的抗氢脆层结构和性能影响,通过不同目数的玻璃球处理基体,使用磁控溅射在其表面沉积不同厚度的钽涂层,并利用LSCM、SEM、XRD、XPS和探针式轮廓仪等表征方法分析钽涂层在预处理基体表面的生长机理。研究结果显示,随着喷砂目数的增大,基体表面粗糙度降低,而适当增大表面粗糙度会使抗氢脆层更好的附着在基体表面,具有更强保护性能。当钽涂层厚度增加时,其结构出现α-Ta至β-Ta的相转变。所有经过预处理的基体在沉积20 μm钽涂层时均无开裂和脱落显现,且在220和360目玻璃球处理下的基体表面所沉积涂层具有更高的均一性和平整度。此外,基体结构会影响溅射原子在其表面的扩散和积聚,进一步影响涂层的应力。通过对不同样品进行分析,发现在同一磁控溅射参数下,采用220目的玻璃球对基体进行喷砂处理可以获得平整而致密的表面形貌,对应沉积的20 μm钽涂层的应力仅为0.35 GPa。研究成果对制备一个稳定且高效的AB-BNCT中子源靶材具有重要指导意义,可解决加速器中子源靶抗氢脆层工程应用的关键问题。