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| 摘要: |
| 采用四极质谱仪测量了试验参数对高压脉冲增强射频磁控溅射PTFE靶等离子体气氛的影响规律。结果表明：增加脉冲偏压、脉冲频率、脉宽、射频功率和气压能提高Az离子对PTFE靶的溅射能力，增加空间中氟碳自由基的数量，其中各参数对峰位位于25．0aum处的氟碳自由基强度影响最大：脉冲电压从10kV提高到20kV能将该峰强度提高2倍；脉宽从40s提高到100μs强度提高80倍；频率从50Hz提高到200Hz强度提高4倍；溅射气压由0．1Pa提高到0.3Pa强度提高6倍；射频功率由200W提高到400W强度提高6倍。励磁电流能有效的约束氟碳自由基的空间分布。 |
| 关键词: 射频溅射 脉冲偏压 氟碳自由基 |
| DOI： |
| 分类号:TG174.444 |
| 基金项目: |
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| The Effect of Process Parameters on Plasma Environment of RF Magnetron Sputtering PTFE Target With Negative Pulse- Voltage Bias |
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TANG Guang-ze MA Xin-xin SUN Ming-ren
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| Abstract: |
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| Key words: RF sputtering pulsed bias fluorocarbon radical |
