基于分子动力学的离子注入辅助磨削4H-SiC机理研究

doi:10.11933/CSE2026303

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中国表面工程 ›› 2026, Vol. 39 ›› Issue (2) : 173-183. DOI: 10.11933/CSE2026303

多能场加工表面完整性专栏

基于分子动力学的离子注入辅助磨削4H-SiC机理研究

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Mechanism Study of Ion Implantation-assisted Grinding of 4H-SiC Based on Molecular Dynamics

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收稿日期	修回日期	接受日期	出版日期
2025-09-15	2025-10-21	2025-10-30	2026-04-23
发布日期
2026-05-06

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