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| 摘要: |
| 在对国内外立方氮化硼薄膜的制备工艺及其表征方法进行了综述的基础上，分析了立方氮化硼膜制备中存在的问题，即薄膜的内应力高，结合强度低，沉积温度高，沉积速率低，沉积速率低，以及cBN中SP^3键含量不稳定。并提出了今后的研究方向：①cBN膜成核生长机理问题；②低温下大面积、高速生长的异质外延和定向生长问题；③膜基结合问题；④发展新的成膜技术，寻求无毒无污染的反应材料；⑤开发cBN膜的应用。 |
| 关键词: 立方氮化硼 薄膜 制备工艺 表征 PVD CVD |
| DOI： |
| 分类号:TG174.444 |
| 基金项目:国家自然科学基金资助项目(59971065) |
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| The Preparation and Characterization of Cubic Boron Nitride Thin Films |
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TAN Jun CAI Zhi-hai ZHANG Ping TANG Yun
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| Abstract: |
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| Key words: cubic boron nitride,thin films,preparation technology,characterization |
