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| 摘要: |
| 在常压条件下，采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统在Fe-Cr-Ni合金基片上沉积Al2O3薄膜。以仲丁醇铝（ASB）为原料，纯氮为载气，研究基片温度、ASB温度和载气流量对沉积速率的影响。采用EDS、SEM技术对Al2O3薄膜的组成进行分析。研究表明，ABS温度为125℃的工艺条件下，薄膜厚度为500μm，结合强度是梯度涂层（NiAl和Al2O3的梯度沉积）的结合强度的两倍。 |
| 关键词: 化学气相沉积 氧化铝 沉积速率 薄膜 |
| DOI： |
| 分类号:TG174.444 |
| 基金项目: |
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| Study on the Preparation of Al2O3 Film by MOCVD Under Normal Atmosphere |
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LUO Xiao-qiu WEN Ji-li LIU Jiong SUN Qi-feng
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| Abstract: |
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| Key words: chemical vapor deposition alumina deposition rate thin film |
